Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHA105N60EF-GE3
MOSFET N-CH 600V 29A TO220
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHA105N60EF
SIHA105N60EF-GE3 Hakkında
SIHA105N60EF-GE3, Vishay tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilim ve 29A sürekli akım kapasitesine sahiptir. TO-220-3 paketinde sunulan bu komponent, güç dönüştürme uygulamaları, anahtarlama devreleri ve motor kontrol sistemlerinde kullanılır. 102mΩ maksimum RDS(on) değeriyle verimli çalışma sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir ve 35W güç yayma kapasitesine sahiptir. Gate threshold voltajı 5V'da 250µA akımda tetiklenir. MOSFET teknolojisine dayalı bu transistör, endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 29A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 53 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1804 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 35W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 102mOhm @ 13A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220 Full Pack |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok