Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIE882DF-T1-GE3
MOSFET N-CH 25V 60A 10POLARPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 10-PolarPAK® (L)
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIE882DF
SIE882DF-T1-GE3 Hakkında
SIE882DF-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 25V drain-source geriliminde 60A sürekli drenaj akımı sağlayabilen bu komponent, yüksek akım anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 10-PolarPAK® (L) yüzey montaj paketinde sunulan transistör, 1.4mΩ (10V, 20A'de) düşük on-direnci ve 145nC gate yükü karakteristikleri ile hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirir. Motor kontrol devreleri, güç dönüştürücüler, DC-DC konvertörler ve enerji yönetim sistemlerinde yaygın olarak uygulanmaktadır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında, 5.2W (25°C'de) ve 125W (derişik sıcaklıkta) güç tüketimi ile tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 60A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 145 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6400 pF @ 12.5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 10-PolarPAK® (L) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 5.2W (Ta), 125W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | 10-PolarPAK® (L) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok