Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIE876DF-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 60A 10POLARPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 10-PolarPAK® (L)
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIE876DF
SIE876DF-T1-GE3 Hakkında
Vishay tarafından üretilen SIE876DF-T1-GE3, 60V drain-source voltajında çalışan N-Channel MOSFET transistördür. 60A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 10V gate drive voltajında 6.1mOhm on-resistance değeri ile verimli anahtarlama sağlar. 125W güç dissipassiyon kapasitesi (Tc referans) ve -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı, endüstriyel ve otomotiv uygulamalarında kullanılabilir. Surface mount 10-PolarPAK paketinde sunulan bu bileşen, güç dönüştürücüler, motor kontrolü ve yük anahtarlaması gibi uygulamalarda tercih edilir. Ürün obsolete statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 60A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 77 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3100 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 10-PolarPAK® (L) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 5.2W (Ta), 125W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.1mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | 10-PolarPAK® (L) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok