Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIE868DF-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 60A 10POLARPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 10-PolarPAK® (L)
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIE868DF
SIE868DF-T1-GE3 Hakkında
SIE868DF-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source voltajı ve 60A sürekli drain akımı ile anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılmaktadır. 10-PolarPAK® yüzey montajlı pakette sunulan bu bileşen, düşük RDS(on) değeri (2.3mΩ @ 10V) sayesinde enerji verimliliğini artırır. Motor kontrol, LED sürücüleri, DC-DC dönüştürücüler ve güç amplifikatörleri gibi endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında tercih edilir. Maksimum 150°C çalışma sıcaklığı ve ±20V gate voltajı kapasitesi ile geniş bir uygulama alanına sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 60A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 145 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6100 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 10-PolarPAK® (L) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 5.2W (Ta), 125W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.3mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | 10-PolarPAK® (L) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok