Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIE864DF-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 45A 10POLARPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 10-PolarPAK® (U)
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIE864DF
SIE864DF-T1-GE3 Hakkında
SIE864DF-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 45A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 10-PolarPAK® yüzey montaj paketi ile sunulan bu bileşen, 5.6mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. Güç yönetimi uygulamaları, anahtarlama devreleri, motor kontrol ve DC/DC dönüştürücülerde yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 45A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 38 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1510 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 10-PolarPAK® (U) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 5.2W (Ta), 25W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.6mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | 10-PolarPAK® (U) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok