Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIE862DF-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 50A 10POLARPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 10-PolarPAK® (U)
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIE862DF
SIE862DF-T1-GE3 Hakkında
SIE862DF-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilim ve 50A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç elektronikleri uygulamalarında kullanılır. 10-PolarPAK yüzey montajlı paket içinde gelmektedir. 3.2mΩ on-state direnci (RDS(on)) ve düşük kapı yükü (Qg = 75nC) ile anahtarlama devrelerinde, motor sürücülerinde, güç kaynakları ve DC-DC dönüştürücülerde uygulanır. -55°C ile +150°C arası sıcaklık aralığında çalışabilir. Ürün statüsü obsolete olup, yeni tasarımlarda yerine geçebilecek alternatif bileşen kullanılması önerilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 75 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3100 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 10-PolarPAK® (U) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 5.2W (Ta), 104W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.2mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | 10-PolarPAK® (U) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok