Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIE860DF-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 60A 10POLARPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 10-PolarPAK® (M)
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIE860DF
SIE860DF-T1-GE3 Hakkında
SIE860DF-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 60A sürekli drain akımı kapasitesiyle güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 10V gate geriliminde 2.1mOhm'luk düşük RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. Surface mount 10-PolarPAK paketinde sunulan bu komponent, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Gate charge değeri 105nC@10V olup, 4500pF input kapasitansına sahiptir. Güç yönetimi, motor kontrol, DC-DC konverterler ve anahtarlama güç kaynakları gibi uygulamalarda kullanılır. Not: Bu ürün üretimi sonlandırılmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 60A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 105 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4500 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 10-PolarPAK® (M) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 5.2W (Ta), 104W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.1mOhm @ 21.7A, 10V |
| Supplier Device Package | 10-PolarPAK® (M) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok