Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIE854DF-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 60A 10POLARPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 10-PolarPAK® (L)
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIE854DF
SIE854DF-T1-GE3 Hakkında
Vishay tarafından üretilen SIE854DF-T1-GE3, N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 60A sürekli akım kapasitesi ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 10V gate sürücü geriliminde 14.2mΩ on-direnci ile düşük güç kayıpları sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, anahtarlama devreleri, motor kontrol, güç yönetimi ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak uygulanır. Surface Mount 10-PolarPAK paketinde sunulan bileşen, yüksek entegrasyon yoğunluğu gerektiren tasarımlara uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 60A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 75 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3100 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 10-PolarPAK® (L) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 5.2W (Ta), 125W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14.2mOhm @ 13.2A, 10V |
| Supplier Device Package | 10-PolarPAK® (L) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok