Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIE854DF-T1-E3
MOSFET N-CH 100V 60A 10POLARPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 10-PolarPAK® (L)
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIE854DF
SIE854DF-T1-E3 Hakkında
Vishay tarafından üretilen SIE854DF-T1-E3, N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source voltajında 60A sürekli drenaj akımı sağlayabilen bu bileşen, güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 10-PolarPAK yüzey montajlı paketinde sunulan transistör, düşük on-resistance (14.2mOhm @ 10V) sayesinde enerji kaybını minimize eder. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığına sahiptir. DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri, güç kaynakları ve endüstriyel uygulamalarda tercih edilir. Maksimum 75nC gate charge ve 3100pF input capacitance ile hızlı anahtarlama performansı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 60A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 75 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3100 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 10-PolarPAK® (L) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 5.2W (Ta), 125W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14.2mOhm @ 13.2A, 10V |
| Supplier Device Package | 10-PolarPAK® (L) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok