Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIE844DF-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 44.5A 10POLARPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 10-PolarPAK® (U)
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIE844DF
SIE844DF-T1-GE3 Hakkında
Vishay tarafından üretilen SIE844DF-T1-GE3, 30V drain-source gerilimi ve 44.5A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle tasarlanmış N-Channel MOSFET transistörüdür. 10-PolarPAK® yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 7mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında çalışabilir. Güç anahtarlama, DC-DC dönüştürücü, motor sürücüsü ve yüksek akım uygulamalarında kullanılır. 44nC gate charge ve 2150pF input capacitance özellikleri hızlı geçiş süresi ile verimli kontrol sağlar. Ürün üretimden kaldırılmıştır (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 44.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 44 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2150 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 10-PolarPAK® (U) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 5.2W (Ta), 25W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7mOhm @ 12.1A, 10V |
| Supplier Device Package | 10-PolarPAK® (U) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok