Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIE836DF-T1-GE3
MOSFET N-CH 200V 18.3A 10POLARPK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 10-PolarPAK® (SH)
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIE836DF
SIE836DF-T1-GE3 Hakkında
Vishay SIE836DF-T1-GE3, 200V drain-source geriliminde 18.3A sürekli dren akımı sağlayan N-channel MOSFET transistördür. 10V gate sürüş geriliminde maksimum 130mΩ on-resistance ile düşük güç kaybı sağlar. Surface mount 10-PolarPAK® paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile +150°C arası çalışma sıcaklığında kullanılabilir. Güç yönetimi uygulamaları, sürücü devreleri, anahtarlama ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak tercih edilen bir MOSFET türüdür. Gate charge değeri 41nC olup, hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18.3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 41 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1200 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 10-PolarPAK® (SH) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 5.2W (Ta), 104W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 130mOhm @ 4.1A, 10V |
| Supplier Device Package | 10-PolarPAK® (SH) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok