Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIE832DF-T1-E3
MOSFET N-CH 40V 50A 10POLARPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 10-PolarPAK® (S)
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIE832DF
SIE832DF-T1-E3 Hakkında
SIE832DF-T1-E3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source gerilimi ve 50A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç elektronik uygulamalarında kullanılır. 10-PolarPAK® yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, düşük on-state direnci (5.5mOhm @ 10V) ve hızlı anahtarlama özellikleri ile motor kontrol, güç kaynakları ve DC-DC dönüştürücü tasarımlarında yer alır. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığına sahiptir. Komponent kullanım dışı (Obsolete) olarak işaretlenmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 77 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3800 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 10-PolarPAK® (S) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 5.2W (Ta), 104W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.5mOhm @ 14A, 10V |
| Supplier Device Package | 10-PolarPAK® (S) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok