Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIE830DF-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 50A 10POLARPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 10-PolarPAK® (S)
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIE830DF
SIE830DF-T1-GE3 Hakkında
SIE830DF-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source voltaj ve 50A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 10-PolarPAK® yüzey montaj paketi ile kompakt PCB tasarımlarına uygun olup, düşük 4.2mΩ on-dirençli özelliktedir. -55°C ile 150°C arasında çalışan bu transistör, anahtarlama devreleri, motor kontrol uygulamaları, DC-DC dönüştürücüler ve güç yönetimi sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. Maksimum gate charge değeri 115nC olup, hızlı anahtarlama performansı sağlar. Not: Bu ürün üretimden kaldırılmıştır (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 115 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5500 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 10-PolarPAK® (S) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 5.2W (Ta), 104W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.2mOhm @ 16A, 10V |
| Supplier Device Package | 10-PolarPAK® (S) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok