Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIE822DF-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 50A 10POLARPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 10-PolarPAK® (S)
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIE822DF
SIE822DF-T1-GE3 Hakkında
SIE822DF-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source voltaj ile 50A sürekli dren akımı kapasitesine sahip olup, 10-PolarPAK yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. 3.4mΩ on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Güç elektronikleri uygulamalarında, DC-DC konvertörlerde, motor kontrol devrelerinde ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 10V gate voltajında 78nC gate charge ile hızlı komütasyon özellikleri sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 78 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4200 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 10-PolarPAK® (S) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 5.2W (Ta), 104W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.4mOhm @ 18.3A, 10V |
| Supplier Device Package | 10-PolarPAK® (S) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok