Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIE820DF-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 50A 10POLARPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 10-PolarPAK® (S)
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIE820DF
SIE820DF-T1-E3 Hakkında
SIE820DF-T1-E3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi ve 50A sürekli dren akımı ile yüksek akım uygulamalarında kullanılır. 10-PolarPAK® (S) yüzey montajı paketinde sunulan bu bileşen, düşük Rds On değeri (3.5mOhm @ 18A, 4.5V) sayesinde anahtarlama uygulamalarında ve güç yönetimi devrelerinde verimli çalışır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Güç amplifikatörleri, DC-DC konvertörleri, motor denetim devreleri ve güç anahtarlaması uygulamalarında tercih edilir. Bileşenin üretimi sonlandırılmıştır (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 143 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4300 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 10-PolarPAK® (S) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 5.2W (Ta), 104W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.5mOhm @ 18A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 10-PolarPAK® (S) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok