Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIE816DF-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 60A 10POLARPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 10-PolarPAK® (L)
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIE816DF
SIE816DF-T1-GE3 Hakkında
Vishay SIE816DF-T1-GE3, 60V/60A kapasiteli N-Channel MOSFET transistörüdür. 10-PolarPAK yüzey monte paketinde sunulan bu bileşen, 7.4 mOhm (@ 19.8A, 10V) on-resistance değeri ile düşük kayıp uygulamalar için tasarlanmıştır. 77 nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama özelliğine sahip olup, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. DC/DC konvertörler, motor sürücüleri, güç yönetimi ve ağır akım anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Maximum 125W güç dissipasyonu (Tc) ile endüstriyel ve otomotiv elektrik devrelerine uygun bir çözümdür.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 60A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 77 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3100 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 10-PolarPAK® (L) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 5.2W (Ta), 125W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.4mOhm @ 19.8A, 10V |
| Supplier Device Package | 10-PolarPAK® (L) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok