Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIE810DF-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 60A 10POLARPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 10-PolarPAK® (L)
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIE810DF
SIE810DF-T1-E3 Hakkında
SIE810DF-T1-E3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source voltaj (Vdss) ve 60A sürekli akım kapasitesi ile güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 10-PolarPAK yüzey monte paketinde sunulmaktadır. 1.4mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybına sahiptir. Gate charge 300nC ile hızlı anahtarlama sağlar. -55°C ~ 150°C çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar. DC-DC konvertörler, motor sürücüler, güç dağıtım sistemleri ve yüksek akım anahtarlama uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 60A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 300 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 13000 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 10-PolarPAK® (L) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 5.2W (Ta), 125W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4mOhm @ 25A, 10V |
| Supplier Device Package | 10-PolarPAK® (L) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok