Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIE808DF-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 60A 10POLARPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 10-PolarPAK® (L)
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIE808DF
SIE808DF-T1-GE3 Hakkında
Vishay SIE808DF-T1-GE3, N-Channel MOSFET transistörü olup 20V drain-source gerilim ve 60A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. 10-PolarPAK® yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, düşük 1.6mOhm RDS(on) değeri ile güç uygulamalarında verimli çalışır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında, anahtarlama devreleri, güç dönüştürücüler, motor sürücüleri ve batarya yönetim sistemlerinde kullanılan kompakt bir çözüm sunar. 155nC gate charge ve 8800pF input kapasitans ile kontrol işlemleri hızlı ve etkilidir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 60A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 155 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 8800 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 10-PolarPAK® (L) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 5.2W (Ta), 125W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.6mOhm @ 25A, 10V |
| Supplier Device Package | 10-PolarPAK® (L) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok