Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIE808DF-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 60A 10POLARPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 10-PolarPAK® (L)
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIE808DF
SIE808DF-T1-E3 Hakkında
SIE808DF-T1-E3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi (Vdss) ve 60A sürekli dren akımı (Id) ile yüksek akım uygulamalarında kullanılır. 1.6mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 10-PolarPAK yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, güç dönüştürme, motor sürücüleri, enerji yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında güvenli çalışır ve 125W güç dağıtabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 60A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 155 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 8800 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 10-PolarPAK® (L) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 5.2W (Ta), 125W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.6mOhm @ 25A, 10V |
| Supplier Device Package | 10-PolarPAK® (L) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok