Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIE804DF-T1-GE3
MOSFET N-CH 150V 37A 10POLARPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 10-PolarPAK® (LH)
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIE804DF
SIE804DF-T1-GE3 Hakkında
SIE804DF-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 150V Drain-Source gerilimi ve 37A sürekli drenaj akımı ile tasarlanmıştır. 10-PolarPAK® paketinde sunulan bu bileşen, yüksek güç uygulamalarında anahtarlama ve amplifikasyon işlevleri için kullanılmaktadır. 38mΩ maksimum Rds(On) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Endüstriyel güç kaynakları, DC-DC konvertörler, motor sürücüleri ve ağır akım anahtarlama devrelerinde uygulanır. Yüksek Gate Charge (105nC) ve Input Capacitance (3000pF) özellikleri ile karakterizedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 37A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 105 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3000 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 10-PolarPAK® (LH) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 5.2W (Ta), 125W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 38mOhm @ 7.6A, 10V |
| Supplier Device Package | 10-PolarPAK® (LH) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok