Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIE802DF-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 60A 10POLARPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 10-PolarPAK® (L)
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIE802DF
SIE802DF-T1-GE3 Hakkında
Vishay tarafından üretilen SIE802DF-T1-GE3, N-Channel MOSFET transistördür. 30V Drain-Source gerilimi ve 60A sürekli Drain akımı kapasitesine sahiptir. 10-PolarPAK® paket türünde tasarlanmış olan bu bileşen, yüksek akım uygulamalarında güç anahtarlaması ve inverter devrelerinde kullanılır. 1.9mΩ Rds(on) değeri ile düşük açılış direnci sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığına sahiptir. Surface mount montajı için uygun olup endüstriyel kontrol, motor sürücüleri, DC-DC dönüştürücüler ve benzer enerji yönetim uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 60A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 160 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7000 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 10-PolarPAK® (L) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 5.2W (Ta), 125W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.9mOhm @ 23.6A, 10V |
| Supplier Device Package | 10-PolarPAK® (L) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.7V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok