Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIE800DF-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 50A 10POLARPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 10-PolarPAK® (S)
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIE800DF
SIE800DF-T1-GE3 Hakkında
SIE800DF-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi (Vdss) ile 50A sürekli drain akımını (Id) destekler. 10-PolarPAK® surface mount paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Rds(on) değeri 10V gate geriliminde 7.2mOhm olup, düşük iletim kaybı sağlar. Gate charge 35nC ile hızlı anahtarlama özelliği gösterir. Güç yönetimi, motor kontrol, DC-DC konvertörler ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Bileşen kullanımdan kaldırılmış (obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1600 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 10-PolarPAK® (S) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 5.2W (Ta), 104W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.2mOhm @ 11A, 10V |
| Supplier Device Package | 10-PolarPAK® (S) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok