Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIE726DF-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 60A 10POLARPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 10-PolarPAK® (L)
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIE726DF
SIE726DF-T1-E3 Hakkında
SIE726DF-T1-E3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltaj ile 60A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 10-PolarPAK paketinde sunulan bu bileşen, yüksek akım uygulamaları için tasarlanmıştır. Düşük on-state direnci (2.4mOhm @ 10V) ile güç tüketimi minimize edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüler, güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Yüksek gate charge değeri (160nC) hızlı komütasyon gerektiren devreler için dikkat edilmesi gereken bir parametredir. Bileşen şu anda üretimi sonlandırılan (obsolete) durumda olup, yerini daha yeni teknolojiye sahip modellere bırakmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 60A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 160 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7400 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 10-PolarPAK® (L) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 5.2W (Ta), 125W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.4mOhm @ 25A, 10V |
| Supplier Device Package | 10-PolarPAK® (L) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok