Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIDR680ADP-T1-RE3
MOSFET N-CH 80V 30.7A/137A PPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIDR680ADP
SIDR680ADP-T1-RE3 Hakkında
Vishay SIDR680ADP-T1-RE3, 80V drenaj-kaynak gerilimi ile çalışan N-Channel MOSFET transistördür. 25°C ortam sıcaklığında 30.7A, ısıl yönetim ile 137A'e kadar kesintisiz drenaj akımı sağlayabilir. 2.88mOhm maksimum On-State direnci ile düşük güç kaybı ve yüksek verimlilik sunar. PowerPAK SO-8 yüzey montaj paketinde üretilen bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Anahtarlama uygulamaları, motor kontrolü, güç dönüştürücüler ve batarya yönetim sistemlerinde kullanılır. 83 nC gate charge ve düşük input kapasitansı (4415 pF) hızlı komutasyon sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30.7A (Ta), 137A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 7.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 83 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4415 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 6.25W (Ta), 125W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.88mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8DC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok