Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIDR668DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 23.2A/95A PPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIDR668DP
SIDR668DP-T1-GE3 Hakkında
Vishay SIDR668DP-T1-GE3, 100V drain-source voltajı ile çalışan N-channel MOSFET transistördür. 25°C sıcaklıkta 23.2A sürekli drain akımı özelliğine sahip olup, case sıcaklığında 95A akım yeteneğine ulaşabilir. PowerPAK® SO-8 yüzey montajlı paket içerisinde sunulan bu bileşen, 4.8mΩ (10V, 20A koşullarında) düşük on-state direnci sayesinde enerji verimliliği sağlar. -55°C ile 150°C arasında güvenli çalışma sıcaklık aralığına sahiptir. Motor kontrol, güç yönetimi, anahtarlama uygulamaları ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak kullanılır. ±20V maksimum gate-source voltajı ile uyumlu sürücü devreleriyle entegre edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 23.2A (Ta), 95A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 7.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 108 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5400 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 6.25W (Ta), 125W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.8mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8DC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok