Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIDR626LEP-T1-RE3
N-CHANNEL 60 V (D-S) 175C MOSFET
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIDR626LEP
SIDR626LEP-T1-RE3 Hakkında
Vishay SIDR626LEP-T1-RE3, 60V drain-source voltajında çalışan N-Channel MOSFET transistördür. 48.7A sürekli dren akımı (Ta) ve 218A (Tc) kapasitesine sahiptir. 1.5mOhm RDS(on) değeri ile düşük iletim direnci sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. PowerPAK® SO-8 yüzey montaj paketinde sunulur. Anahtarlama uygulamaları, DC/DC konvertörleri, motor kontrolü ve güç yönetimi sistemlerinde kullanılır. 10V gate voltajında maksimum 135nC gate charge değerine sahiptir. Uygulamaya uygun hızlı anahtarlama ve düşük güç tüketimi sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 48.7A (Ta), 218A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 135 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5900 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 7.5W (Ta), 150W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8DC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok