Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIDR622DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 150V 64.6A PPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIDR622DP
SIDR622DP-T1-GE3 Hakkında
Vishay SIDR622DP-T1-GE3, N-Channel MOSFET transistörü olup 150V drain-source gerilimi ve 64.6A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. PowerPAK® SO-8 surface mount paketinde sunulan bu bileşen, 17.7mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Gate charge değeri 41nC ve input capacitance 1516pF'dir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu transistör, anahtarlama uygulamaları, DC-DC konvertörleri, motor sürücüleri ve güç yönetimi devrelerinde kullanılır. Maksimum 125W güç dağıtım kapasitesi ile yüksek verimli ve kompakt tasarımlar için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 64.6A (Ta), 56.7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 7.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 41 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1516 pF @ 75 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 6.25W (Ta), 125W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17.7mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8DC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok