Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIDR610DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 200V 8.9A/39.6A PPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIDR610DP
SIDR610DP-T1-GE3 Hakkında
Vishay SIDR610DP-T1-GE3, 200V drain-source gerilim ile çalışan N-Channel MOSFET transistördür. 8.9A sürekli akım (Ta=25°C) ve 39.6A akım (Tc=25°C) kapasitesine sahiptir. 31.9mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük kayıp uygulamaları destekler. PowerPAK® SO-8 paketinde sunulan bu transistör, güç dönüştürme, motor kontrolü, LED sürücüler ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 125W güç yayılımı kapasitesine (Tc=25°C) sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8.9A (Ta), 39.6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 7.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 38 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1380 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 6.25W (Ta), 125W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 31.9mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8DC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok