Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIDR608DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 45V 51A/208A PPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIDR608DP
SIDR608DP-T1-RE3 Hakkında
SIDR608DP-T1-RE3, Vishay tarafından üretilen N-kanal MOSFET transistördür. 45V Drain-Source gerilimi (Vdss) ile 51A sürekli akım kapasitesine sahiptir. PowerPAK® SO-8 yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate geriliminde 1.2mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük iletim direncine sahiptir. -55°C ile 150°C çalışma sıcaklık aralığında güvenilir çalışır. Motor sürücüleri, anahtarlama güç kaynakları (SMPS), DC-DC dönüştürücüler ve yüksek frekanslı anahtar uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. 167nC gate yükü ve 8900pF input kapasitansı hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 51A (Ta), 208A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 45 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 167 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 8900 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 6.25W (Ta), 104W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8DC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | +20V, -16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok