Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIDR402EP-T1-RE3
N-CHANNEL 40 V (D-S) 175C MOSFET
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIDR402EP
SIDR402EP-T1-RE3 Hakkında
SIDR402EP-T1-RE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source voltaj desteğiyle, 65.2A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. PowerPAK SO-8 yüzey montajlı paket içerisinde sunulan bu bileşen, düşük on-state direnci (0.88mΩ @ 20A, 10V) ile yüksek verimli anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 175°C) sayesinde endüstriyel ve otomotiv uygulamalarında, güç yönetimi devrelerinde, DC/DC dönüştürücülerde ve motor kontrol sistemlerinde tercih edilir. Hızlı komütasyon özellikleri ve düşük gate charge (165nC @ 10V) ile enerji verimliliği sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 65.2A (Ta), 291A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 165 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 9100 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 7.5W (Ta), 150W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 0.88mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8DC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | +20V, -16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok