Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIDR402DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 64.6A/100A PPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIDR402DP
SIDR402DP-T1-GE3 Hakkında
Vishay SIDR402DP-T1-GE3, N-Channel MOSFET transistörü olup 40V drain-source voltajında 64.6A (Ta) / 100A (Tc) sürekli dren akımı sağlar. PowerPAK® SO-8 paket tipinde surface mount uygulamalar için tasarlanmıştır. RDS(on) değeri 10V gate voltajında 0.88mOhm olup, düşük kondüktans kaybı ve yüksek anahtarlama hızı gerektiren endüstriyel güç yönetimi, motor kontrol, DC-DC dönüştürücü ve enerji depolama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bileşen, maksimum 125W (Tc) güç tüketimini destekler.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 64.6A (Ta), 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 165 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 9100 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 6.25W (Ta), 125W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 0.88mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8DC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | +20V, -16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok