Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIDR390DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 30V 69.9A/100A PPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIDR390DP
SIDR390DP-T1-RE3 Hakkında
SIDR390DP-T1-RE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltajı ve 100A (Tc) kontinü drain akımı kapasitesi ile güç elektronikleri uygulamalarında kullanılır. 0.8mΩ (10V, 20A koşullarında) düşük RDS(on) değeri enerji verimliliği sağlar. Surface mount PowerPAK SO-8 paketlemesiyle kompakt tasarımlara entegre edilebilir. Anahtarlama devrelerinde, DC-DC konvertörlerde, motor kontrollerinde ve enerji yönetimi sistemlerinde yaygın olarak uygulanır. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahip olup, endüstriyel ve otomotiv uygulamalarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 69.9A (Ta), 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 153 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 10180 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 6.25W (Ta), 125W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 0.8mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8DC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | +20V, -16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok