Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIDR220EP-T1-RE3
N-CHANNEL 25 V (D-S) 175C MOSFET
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIDR220EP
SIDR220EP-T1-RE3 Hakkında
SIDR220EP-T1-RE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 25V Drain-Source geriliminde çalışan bu bileşen, 92.8A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. PowerPAK® SO-8 yüzey montaj paketinde sunulan transistör, -55°C ile 175°C arasında çalışır. 0.58mOhm maksimum On-state direnci ile güç uygulamalarında düşük ısı kaybı sağlar. Gate charge değeri 200nC olup 4.5V ve 10V gate gerilimi seviyelerinde sürülebilir. Endüstriyel güç dönüştürücüleri, motor kontrolü, anahtarlama uygulamaları ve yüksek akımlu DC/DC dönüştürücülerde kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 92.8A (Ta), 415A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 200 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 10850 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 6.25W (Ta), 415W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 0.58mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8DC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | +16V, -12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok