Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIDR220DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 25V 87.7A/100A PPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIDR220DP
SIDR220DP-T1-GE3 Hakkında
Vishay SIDR220DP-T1-GE3, N-Channel MOSFET transistörü olup 25V drain-source gerilimi ile 87.7A (Ta) / 100A (Tc) sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. PowerPAK® SO-8 paketinde sunulan bu bileşen, düşük on-direnci (5.8mOhm @ 20A, 10V) ile verimli anahtarlama performansı sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu transistör, DC-DC dönüştürücüler, güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve yük anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 200nC gate charge ve 1085pF input kapasitansi ile hızlı anahtarlama özelliği gösterir. Yüksek akım yoğunluğu ve ısıl performansı nedeniyle endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında tercih edilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 87.7A (Ta), 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 200 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1085 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 6.25W (Ta), 125W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.8mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8DC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | +16V, -12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok