Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIDR170DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 100V 23.2A/95A PPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIDR170DP
SIDR170DP-T1-RE3 Hakkında
Vishay SIDR170DP-T1-RE3, 100V drain-source voltajına ve 23.2A sürekli drain akımına (Ta) sahip N-channel MOSFET transistördür. PowerPAK SO-8 paketinde sunulan bu bileşen, düşük on-resistance (4.8mΩ @ 20A, 10V) ve yüksek kesme akımı (95A @ Tc) özellikleriyle anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. ±20V maksimum gate-source voltajı ve -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklık aralığı, endüstriyel ve otomotiv uygulamalarına uygunluğunu sağlar. 6.25W (Ta) ve 125W (Tc) güç tüketim kapasitesiyle AC/DC konvertörleri, motor sürücüleri ve yüksek frekanslı anahtarlamalı güç kaynakları tasarımlarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 23.2A (Ta), 95A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 140 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6195 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 6.25W (Ta), 125W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.8mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8DC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok