Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIDR104AEP-T1-RE3
N-CHANNEL 100 V (D-S) 175C MOSFE
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIDR104AEP
SIDR104AEP-T1-RE3 Hakkında
SIDR104AEP-T1-RE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source voltaj derecelendirmesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 21.1A sürekli drain akımı kapasitesine sahip olup, 6.1mΩ drain-source direnci (10V gate voltajında) ile düşük enerji kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. PowerPAK SO-8 yüzey monte paketinde sunulur ve güç dönüştürme, motor kontrolü, güç kaynakları ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 21.1A (Ta), 90.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 7.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 70 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3250 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 6.5W (Ta), 120W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.1mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8DC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok