Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SIDR104ADP-T1-RE3

MOSFET N-CH 100V 18.8A/81A PPAK

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
PowerPAK SO-8
Seri / Aile Numarası
SIDR104ADP

SIDR104ADP-T1-RE3 Hakkında

Vishay SIDR104ADP-T1-RE3, 100V drain-source gerilimi ile çalışan N-Channel MOSFET transistördür. 18.8A sürekli drenaj akımı (Ta) ve 81A (Tc) kapasitesine sahip bu bileşen, düşük RDS(on) değeri (6.1mOhm @ 15A, 10V) ile enerji verimliliği sağlar. PowerPAK® SO-8 yüzey montaj paketi kullanılarak kompakt uygulamalara entegre edilebilir. -55°C ile 150°C arasında çalışan bu transistör, güç dönüştürücüler, motor kontrol devreleri, anahtarlama uygulamaları ve yüksek akım gerektiren endüstriyel sistemlerde kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 18.8A (Ta), 81A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 7.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3250 pF @ 50 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case PowerPAK® SO-8
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 5.4W (Ta), 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.1mOhm @ 15A, 10V
Supplier Device Package PowerPAK® SO-8DC
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok