Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIB800EDK-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 1.5A PPAK SC75-6
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SC-75-6
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIB800EDK
SIB800EDK-T1-GE3 Hakkında
Vishay SIB800EDK-T1-GE3, N-channel MOSFET transistör olup 20V drain-source voltajında 1.5A sürekli drenaj akımı sunmaktadır. PowerPAK SC-75-6 paketinde üretilen bu bileşen, 225mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim direnci sağlar. Entegre Schottky diyot özelliği nedeniyle anahtarlama hızı iyileştirilmiştir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. DC-DC konvertörler, güç yönetimi devreleri, anahtarlama uygulamaları ve hafif yük sürücülerde kullanılmaya uygundur. 1.7nC gate charge değeri ile hızlı komutasyon özelliği vardır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| FET Feature | Schottky Diode (Isolated) |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.7 nC @ 4.5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SC-75-6 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.1W (Ta), 3.1W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 225mOhm @ 1.6A, 4.5V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SC-75-6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±6V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok