Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIB488DK-T1-GE3
MOSFET N-CH 12V 9A PPAK SC75-6
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SC-75-6
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIB488DK
SIB488DK-T1-GE3 Hakkında
SIB488DK-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 12V drain-source voltajında 9A sürekli drenaj akımı yeteneğine sahiptir. PowerPAK SC-75-6 yüzey montajı paketinde sunulan bu bileşen, 20mΩ on-resistance (Rds On) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. Maksimum 2.4W (Ta) veya 13W (Tc) güç tüketimi kapasitesine sahiptir. Switch uygulamaları, motor sürücüler, güç yönetimi devreleri ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında kullanılan kompakt bir çözümdür. Bileşen obsolete statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20 nC @ 8 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 725 pF @ 6 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SC-75-6 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.4W (Ta), 13W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 6.3A, 4.5V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SC-75-6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok