Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIB457EDK-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC75-6
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SC-75-6
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIB457EDK
SIB457EDK-T1-GE3 Hakkında
Vishay SIB457EDK-T1-GE3, P-Channel MOSFET transistörü olup, 20V drain-source gerilimi ve 9A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. Surface mount PowerPAK SC-75-6 paketinde sunulan bu transistör, düşük on-resistance karakteristiği (35mOhm @ 4.8A, 4.5V) sayesinde anahtarlama uygulamalarında ve güç yönetimi devrelerinde kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen cihaz, pil yönetimi, LED denetim devreleri, güç kaynakları ve mobil cihaz uygulamalarında tercih edilir. 44nC @ 8V gate charge değeri hızlı anahtarlama performansı sağlar. Maksimum 13W güç disipasyonu kapasitesi ile ısıl yönetimi optimize edilmiş tasarımlara uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 44 nC @ 8 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SC-75-6 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.4W (Ta), 13W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35mOhm @ 4.8A, 4.5V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SC-75-6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok