Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIB456DK-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 6.3A PPAK SC75
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SC-75-6
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIB456DK
SIB456DK-T1-GE3 Hakkında
Vishay SIB456DK-T1-GE3, 100V drain-source gerilim ile çalışabilen N-channel MOSFET transistördür. 6.3A sürekli drain akımı kapasitesine sahip olup, 10V gate geriliminde 185mOhm on-state direnci ile düşük ısıl kayıp sağlar. PowerPAK® SC-75-6 SMD paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor sürücüleri ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahip olup, 2.4W Ta ve 13W Tc'de maksimum güç yayılımı yapabilir. 5nC gate yükü ve düşük input kapasitanslı tasarımı hızlı anahtarlama işlemleri için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 130 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SC-75-6 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.4W (Ta), 13W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 185mOhm @ 1.9A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SC-75-6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok