Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIB452DK-T1-GE3
MOSFET N-CH 190V 1.5A PPAK SC75
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SC-75-6
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIB452DK
SIB452DK-T1-GE3 Hakkında
Vishay SIB452DK-T1-GE3, N-Channel MOSFET transistörüdür. 190V drain-source gerilimi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 1.5A sürekli dren akımı kapasitesi ile orta güç seviyesi devre tasarımlarında tercih edilir. PowerPAK SC-75-6 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamaları, power management devreleri ve motor kontrol sistemlerinde yaygın olarak kullanılmaktadır. Maksimum 2.4Ω RDS(on) değeri ile iyi iletkenlik özellikleri sunar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Maksimum gate şarjı 6.5nC ve 135pF input kapasitansi ile hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 190 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 135 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SC-75-6 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.4W (Ta), 13W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.4Ohm @ 500mA, 4.5V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SC-75-6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok