Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SIB441EDK-T1-GE3

MOSFET P-CH 12V 9A PPAK SC75-6

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
PowerPAK® SC-75-6
Seri / Aile Numarası
SIB441EDK

SIB441EDK-T1-GE3 Hakkında

Vishay SIB441EDK-T1-GE3, P-Channel MOSFET transistörü olup 12V dren-kaynak geriliminde 9A sürekli dren akımı sağlayabilir. PowerPAK SC-75-6 yüzey montajlı paketinde sunulan bu transistör, 25.5mOhm maksimum dren-kaynak direnci (RDS(on)) ile düşük kayıp uygulamalara uygundur. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığına sahip olup, kapı yükü 33nC ve giriş kapasitesi 1180pF karakteristikleriyle hızlı anahtarlama gerektiren devrelerinde kullanılır. Motor kontrol, güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler ve yük anahtarlaması gibi endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 12 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 33 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1180 pF @ 6 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case PowerPAK® SC-75-6
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.4W (Ta), 13W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25.5mOhm @ 4A, 4.5V
Supplier Device Package PowerPAK® SC-75-6
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±8V
Vgs(th) (Max) @ Id 900mV @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok