Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIB437EDKT-T1-GE3
MOSFET P-CH 8V 9A PPAK TSC75-6
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® TSC-75-6
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIB437EDKT
SIB437EDKT-T1-GE3 Hakkında
Vishay tarafından üretilen SIB437EDKT-T1-GE3, P-Channel MOSFET transistördür. 8V drain-source voltajında 9A sürekli dren akımı sağlayabilir. PowerPAK® TSC-75-6 yüzey monte paketinde sunulan bu bileşen, 34mOhm maksimum Ron değeri ile düşük iletim kaybı özellikleri nedeniyle anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve motor kontrol sistemlerinde kullanılır. -55°C ile 150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığı, çeşitli endüstriyel ortamlarda uygulanabilir kılar. 16nC gate charge değeri hızlı anahtarlama performansı sağlar. Not: Bu ürün üretimi durdurulmuş (obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 8 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.2V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16 nC @ 4.5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® TSC-75-6 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.4W (Ta), 13W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 34mOhm @ 3A, 4.5V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® TSC75-6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 700mV @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok