Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIB433EDK-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC75-6
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SC-75-6
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIB433EDK
SIB433EDK-T1-GE3 Hakkında
Vishay tarafından üretilen SIB433EDK-T1-GE3, P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi ve 9A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. PowerPAK SC-75-6 paketinde sunulan bu komponent, 58mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük kayıp ve verimli çalışma sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen SIB433EDK, motor kontrolü, güç yönetimi, ses ve görüntü işleme uygulamalarında tercih edilir. 4.5V gate geriliminde aktive edilen transistör, 2.4W (Ta) ve 13W (Tc) güç yayma kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21 nC @ 8 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SC-75-6 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.4W (Ta), 13W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 58mOhm @ 3.7A, 4.5V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SC-75-6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok