Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIB4317EDK-T1-GE3
P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SC-75-6
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIB4317EDK
SIB4317EDK-T1-GE3 Hakkında
Vishay SIB4317EDK-T1-GE3, 30V Drain-Source gerilimi ile çalışabilen P-Channel güç MOSFET'idir. 4.3A sürekli dren akımı kapasitesine sahip bu transistör, PowerPAK SC-75-6 surface mount paketinde üretilmektedir. 65mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu bileşen, anahtarlama uygulamaları, DC-DC dönüştürücüler, güç yönetimi devreleri ve motor kontrol uygulamalarında kullanılır. ±12V maksimum gate gerilimi ile uyumlu sürücü devrelerle entegre edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.3A (Ta), 4.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 600 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SC-75-6 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.95W (Ta), 10W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65mOhm @ 3A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SC-75-6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok