Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIB4316EDK-T1-GE3
N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SC-75-6
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIB4316EDK
SIB4316EDK-T1-GE3 Hakkında
SIB4316EDK-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltaj ve 4.5A (Ta) / 6A (Tc) sürekli drain akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. 57mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. PowerPAK® SC-75-6 paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrol sistemleri ve enerji dönüştürme uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışan bu transistör, kompakt tasarımı ve düşük termal direnci sayesinde yüksek entegrasyon yoğunluğu gerektiren uygulamalara uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.5A (Ta), 6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12 nC @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SC-75-6 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.9W (Ta), 10W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 57mOhm @ 4A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SC-75-6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok