Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIB422EDK-T4-GE3
MOSFET N-CH 20V 7.1A/9A PPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SC-75-6
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIB422EDK
SIB422EDK-T4-GE3 Hakkında
Vishay SIB422EDK-T4-GE3, PowerPAK SC-75-6 paketinde sunulan N-kanal MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilim desteğiyle, 25°C'de 7.1A ve soğutucu ile 9A sürekli drain akımı sağlar. 4.5V gate geriliminde 30mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sunar. -55°C ile +150°C arasında çalışan bu bileşen, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve motor kontrol sistemlerinde kullanılır. ±8V maksimum gate gerilimi ve 18nC gate charge özellikleriyle hızlı komütasyon gerektiren uygulamalara uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.1A (Ta), 9A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18 nC @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SC-75-6 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 13W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30mOhm @ 5A, 4.5V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SC-75-6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok