Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIB419DK-T1-GE3
MOSFET P-CH 12V 9A PPAK SC75-6
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SC-75-6
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIB419DK
SIB419DK-T1-GE3 Hakkında
SIB419DK-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 12V drain-source voltajında 9A sürekli dren akımı yeteneğine sahiptir. 4.5V gate voltajında 60mOhm on-direnci ile düşük güç kaybı sağlar. PowerPAK SC-75-6 yüzey montajlı paketinde sunulur. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrolü ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılmaya uygundur. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Maksimum 11.82nC gate yükü ile hızlı anahtarlama özelliği sunar. Ürün artık üretilmemekte olup, stoklardaki son ürünlerdir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11.82 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 562 pF @ 6 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SC-75-6 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.45W (Ta), 13.1W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60mOhm @ 5.2A, 4.5V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SC-75-6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok