Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIB417EDK-T1-GE3
MOSFET P-CH 8V 9A PPAK SC75-6
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SC-75-6
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIB417EDK
SIB417EDK-T1-GE3 Hakkında
SIB417EDK-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 8V drain-source gerilim (Vdss) ve 9A sürekli drain akımı (Id) kapasitesiyle tasarlanmıştır. PowerPAK® SC-75-6 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 58mOhm maksimum RDS(on) değeri ile enerji verimliliği sağlar. -55°C ile +150°C arasında güvenilir çalışma sunar. Düşük güç tüketimi ve kompakt tasarımı ile portatif cihazlar, güç yönetimi devreleri ve AC/DC dönüştürücülerde tercih edilir. Gate kapasitansi 565pF (Ciss) olup 12nC gate yükü (Qg) ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 8 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.2V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 565 pF @ 4 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SC-75-6 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.4W (Ta), 13W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 58mOhm @ 5.8A, 4.5V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SC-75-6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok